Kategoriat
Komponentit Puhelimet

Samsung esitteli 10 nanometrin valmistustekniikalla valmistettavat Exynos-piirit

Elektroniikkajätti Samsung on juuri esitellyt uuden Exynos 9 -sarjan 8895-mobiilipiirin, jonka massatuotanto on päästy aloittamaan. Kyse on yhtiön ensimmäisistä piireistä, jotka valmistetaan käyttämällä yhtiön 10nm FinFET-valmistustekniikkaa.

Samsungin mukaan uusi piirisarja on 27 prosenttia suorituskykyisempi ja kuluttaa 40 prosenttia vähemmän virtaa kuin 14 nanometrin valmistustekniikalla valmistettavat edeltäjänsä. Aiheesta uutisoi muun muassa ulkomainen verkkolehti Softpedia, jonka mukaan Exynos 9 -piirit pakkaavat ensimmäisinä sisäänsä Gigabitin yhteydet tarjoavan LTE-modeemin.

Samsungin uusi Exynos 8895 -piirisarja sisältää kahdeksan suoritinydintä, joista neljä ovat Samsungin toisen sukupolven ja loput neljä puolestaan Cortex A53 -suoritinytimiä. Edellä mainitun lisäksi, Samsung on sisällyttänyt piirisarjaan myös ARMin Mali-G71 -grafiikkayksikön.