Samsung ja Numonyx kehittävät yhteistyössä Phase Change-muistitekniikaa

Samsung ja Numonyx ovat päättäneet aloittaa yhteistyössä kehittää spesifikaatiot Phase Change Memory-tekniikkaan pohjatuville tuotteille (PCM). Phase Change-tekniikan on tarkoitus tulla olemaan seuraava suuri askel non-volatile-muistiteknologialla (haihtumatonta muistia) sillä se kykenee tarjoamaan maksimissaan 30 kertaa korkeammat nopeudet ja tukee merkittävästi suurempaa määrää kirjoitussyklejä kuin NOR -ja NAND-flashmuistit.

Yhteistyöllään molemmat yhtiöt toivovat luovansa yleisen rauta -ja ohjelmistoyhteensopivuuden PCM-tuotteille ja näin yksinkertaistaen suunnittelua ja lyhentäen kehitysaikaa. Samsung ja Numonyx kehittävät yleisiä spesifikaatioita sulatetuille-, mobiili -ja muihin sovellutuksiin, jotka tukevat JEDECin LPDDR2 Low Power Memory Device-standardia.

Yhtiöiden odotetaan saavan spesifikaatiot valmiiksi tänä vuonna jotta Samsung ja Numonyx saisivat esiteltyä yhteensopivia laitteita ensi vuonna. Samsung on tässä kuussa aloittanut PRAM-sirujen (phase change RAM) massatuotannon ja ensimmäiset tuotteet tulevat käsittämään 512 megabittiä.

Tech Connect Magazine: Samsung and Numonyx to collaborate on Phase Change Memory