Micron aloitti 34 nm NAND-flashmuistin massatuotannon

Micron on kertonut aloittaneensa parin uuden 34 nanometrin valmistustekniikkaan pohjautuvan NAND-flashmuistin (multi-level cell) massatuotannon. 16 ja 32 gigabitin eli kahden ja neljän gigatavun kapasiteetin käsittävät flashmuistit sisältävät ONFI 2.1-liitäntärajapinnan, joka mahdollistaa aina 200 MB/s siirtonpeudet. ONFI 2.1 tulee yhtiön mukaan löytämään tiensä kaikkiin yhtiön tulevaisuudessa valmistamiin korkean tiheyden NAND-tuotteisiin.

Micronin mukaan neljän gigatavun mallin fyysinen pinta-ala on ainoastaan 84 mm² , jonka ansiosta ne tulevat löytämään tiensä suuren kapasiteetin käsittäviin muistikortteihin. Yhtiön mukaan Lexar käyttääkin niitä jo 32 gigatavun SDHC-muistikorteissaan, jotka kuuluvat luokkaan 6. Micronin mukaan nämä muistikortit tarjoavat minimissään 12 MB/s ja 9 MB/s luku -ja kirjoitusnopeudet.

Lexar aikoo tulla käyttämään Micronin uusia 34 nm NAND-flashmuisteja microSDHC-, SD-, Compact Flash -ja Memory Stick Pro Duo-muistikorteissa sekä useissa USB-tikuissa.

Tech Report: Micron starts producing 34nm NAND flash chips