Samsung kehitti ensimmäisenä 30nm DDR3-piirin

Samsung Electronics on ilmoittanut onnistunneensa ensimmäisenä maailmassa valmistamaan 30 nanometrin viivanleveydellä valmistetun DDR3-muistipiirin kahden gigabitin tallennustiheydellä. Yrityksen mukaan 30nm tuotantotekniikka kasvattaa DDR3:n tuotettavuutta 40 nanometrin tuotantotekniikkaan verrattuna 60 prosentilla ja puolittaa kustannustehokkuuden 50/60nm tuotantotekniikoihin verrattaessa.

Samsungin uusi kahden gigabitin 30nm tekniikalla valmistettu DRAM-muistipiiri alentaa virrankulutusta 50nm tekniikalla valmistettuun muistipiirin verrattuna maksimissaan 30 prosenttia ja on tarkoitettu käytettäväksi työpöytäkoneiden sekä kannettavien tietokoneiden lisäksi palvelimissa, minikannettavissa ja mobiililaitteisissa. 30nm piirin massatuotanto on tarkoitus päästä aloittamaan tämän vuoden toisella puoliskolla.

Samsung develops first 30nm DDR3 DRAM